Справочник MOSFET. HSH120N85

 

HSH120N85 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSH120N85
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1050 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для HSH120N85

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSH120N85 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1205K  huashuo
 hsh120n85.pdf pdf_icon

HSH120N85

HSH120N85 N-Ch 85V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 85 V The HSH120N85 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON RDS(ON),TYP 4.6 m and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 120 A The HSH120N85 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function

Другие MOSFET... HSCE2530 , HSCE2631 , HSCE6032 , HSCS2050 , HSCS2052 , HSD6004 , HSD6016 , HSF10N65 , IRFB31N20D , HSH150N04 , HSH15810 , HSH190N03 , HSH200N02 , HSH250N10 , HSH3024 , HSH6024A , HSH6040 .

History: JFPC13N50C | IRF721FI

 

 
Back to Top

 


 
.