HSH120N85 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSH120N85

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1050 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для HSH120N85

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSH120N85 даташит

 ..1. Size:1205K  huashuo
 hsh120n85.pdf pdf_icon

HSH120N85

HSH120N85 N-Ch 85V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 85 V The HSH120N85 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON RDS(ON),TYP 4.6 m and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 120 A The HSH120N85 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function

Другие IGBT... HSCE2530, HSCE2631, HSCE6032, HSCS2050, HSCS2052, HSD6004, HSD6016, HSF10N65, IRF2807, HSH150N04, HSH15810, HSH190N03, HSH200N02, HSH250N10, HSH3024, HSH6024A, HSH6040