HSH15810 Todos los transistores

 

HSH15810 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSH15810
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 227 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 609 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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HSH15810 Datasheet (PDF)

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HSH15810

HSH15810 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary General Description VDS 100 V 100% EAS Guaranteed Green Device Available RDS(ON),typ 3.7 m Super Low RDS(ON) Advanced high cell density Trench ID 120 A technology TO263 Pin Configuration Applications MOTOR Driver. BMS. High frequency switching and synchronous rectification.

 9.1. Size:588K  huashuo
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HSH15810

HSH150N04 N-Ch 40V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSH150N04 is the high cell density trenched VDS 40 V N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),TYP 3 m converter applications. ID 150 A The HSH150N04 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function r

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History: WPMD3002 | SFG10R08BF

 

 
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