HSH15810 Todos los transistores

 

HSH15810 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSH15810
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 227 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 609 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

 Búsqueda de reemplazo de HSH15810 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HSH15810 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:809K  huashuo
 hsh15810.pdf pdf_icon

HSH15810

HSH15810 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary General Description VDS 100 V 100% EAS Guaranteed Green Device Available RDS(ON),typ 3.7 m Super Low RDS(ON) Advanced high cell density Trench ID 120 A technology TO263 Pin Configuration Applications MOTOR Driver. BMS. High frequency switching and synchronous rectification.

 9.1. Size:588K  huashuo
 hsh150n04.pdf pdf_icon

HSH15810

HSH150N04 N-Ch 40V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSH150N04 is the high cell density trenched VDS 40 V N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),TYP 3 m converter applications. ID 150 A The HSH150N04 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function r

Otros transistores... HSCE6032 , HSCS2050 , HSCS2052 , HSD6004 , HSD6016 , HSF10N65 , HSH120N85 , HSH150N04 , AON6380 , HSH190N03 , HSH200N02 , HSH250N10 , HSH3024 , HSH6024A , HSH6040 , HSH6115 , HSH8004 .

History: PD616BA | LBSS139DW1T1G | GT45N06

 

 
Back to Top

 


 
.