HSH15810 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSH15810

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 227 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 609 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm

Encapsulados: TO263

 Búsqueda de reemplazo de HSH15810 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HSH15810 datasheet

 ..1. Size:809K  huashuo
 hsh15810.pdf pdf_icon

HSH15810

HSH15810 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary General Description VDS 100 V 100% EAS Guaranteed Green Device Available RDS(ON),typ 3.7 m Super Low RDS(ON) Advanced high cell density Trench ID 120 A technology TO263 Pin Configuration Applications MOTOR Driver. BMS. High frequency switching and synchronous rectification.

 9.1. Size:588K  huashuo
 hsh150n04.pdf pdf_icon

HSH15810

HSH150N04 N-Ch 40V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSH150N04 is the high cell density trenched VDS 40 V N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),TYP 3 m converter applications. ID 150 A The HSH150N04 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function r

Otros transistores... HSCE6032, HSCS2050, HSCS2052, HSD6004, HSD6016, HSF10N65, HSH120N85, HSH150N04, IRFZ24N, HSH190N03, HSH200N02, HSH250N10, HSH3024, HSH6024A, HSH6040, HSH6115, HSH8004