HSH15810 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSH15810

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 609 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для HSH15810

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSH15810 даташит

 ..1. Size:809K  huashuo
 hsh15810.pdf pdf_icon

HSH15810

HSH15810 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary General Description VDS 100 V 100% EAS Guaranteed Green Device Available RDS(ON),typ 3.7 m Super Low RDS(ON) Advanced high cell density Trench ID 120 A technology TO263 Pin Configuration Applications MOTOR Driver. BMS. High frequency switching and synchronous rectification.

 9.1. Size:588K  huashuo
 hsh150n04.pdf pdf_icon

HSH15810

HSH150N04 N-Ch 40V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSH150N04 is the high cell density trenched VDS 40 V N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),TYP 3 m converter applications. ID 150 A The HSH150N04 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function r

Другие IGBT... HSCE6032, HSCS2050, HSCS2052, HSD6004, HSD6016, HSF10N65, HSH120N85, HSH150N04, IRFZ24N, HSH190N03, HSH200N02, HSH250N10, HSH3024, HSH6024A, HSH6040, HSH6115, HSH8004