HSH190N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSH190N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 180 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 190 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 94 nC
Tiempo de subida (tr): 9 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 940 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0024 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HSH190N03
HSH190N03 Datasheet (PDF)
hsh190n03.pdf
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HSH190N03 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSH190N03 is the high cell density trenched VDS 30 V N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous RDS(ON),typ 1.9 m buck converter applications. ID 190 A The HSH190N03 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function
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