HSH190N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HSH190N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 180 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 190 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 94 nC
Время нарастания (tr): 9 ns
Выходная емкость (Cd): 940 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0024 Ohm
Тип корпуса: TO263
HSH190N03 Datasheet (PDF)
..1. Size:739K huashuo
hsh190n03.pdf
hsh190n03.pdf
HSH190N03 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSH190N03 is the high cell density trenched VDS 30 V N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous RDS(ON),typ 1.9 m buck converter applications. ID 190 A The HSH190N03 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
