HSH190N03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSH190N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 190 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 940 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для HSH190N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSH190N03 даташит

 ..1. Size:739K  huashuo
 hsh190n03.pdf pdf_icon

HSH190N03

HSH190N03 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSH190N03 is the high cell density trenched VDS 30 V N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous RDS(ON),typ 1.9 m buck converter applications. ID 190 A The HSH190N03 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function

Другие IGBT... HSCS2050, HSCS2052, HSD6004, HSD6016, HSF10N65, HSH120N85, HSH150N04, HSH15810, 2N60, HSH200N02, HSH250N10, HSH3024, HSH6024A, HSH6040, HSH6115, HSH8004, HSH90P06