Справочник MOSFET. HSH190N03

 

HSH190N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSH190N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 190 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 940 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для HSH190N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSH190N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:739K  huashuo
 hsh190n03.pdf pdf_icon

HSH190N03

HSH190N03 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSH190N03 is the high cell density trenched VDS 30 V N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous RDS(ON),typ 1.9 m buck converter applications. ID 190 A The HSH190N03 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function

Другие MOSFET... HSCS2050 , HSCS2052 , HSD6004 , HSD6016 , HSF10N65 , HSH120N85 , HSH150N04 , HSH15810 , IRF830 , HSH200N02 , HSH250N10 , HSH3024 , HSH6024A , HSH6040 , HSH6115 , HSH8004 , HSH90P06 .

History: RTQ020N05HZG | IPB60R160P6

 

 
Back to Top

 


 
.