HSH200N02 Todos los transistores

 

HSH200N02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSH200N02
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 343 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

 Búsqueda de reemplazo de HSH200N02 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HSH200N02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:721K  huashuo
 hsh200n02.pdf pdf_icon

HSH200N02

HSH200N02 N-Ch 200V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSH200N02 is the highest performance VDS 200 V trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density, which provide excellent RDSON and gate RDS(ON),typ 27 m charge for most of the synchronous buck ID 70 A converter applications. The HSH200N02 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS

Otros transistores... HSCS2052 , HSD6004 , HSD6016 , HSF10N65 , HSH120N85 , HSH150N04 , HSH15810 , HSH190N03 , K2611 , HSH250N10 , HSH3024 , HSH6024A , HSH6040 , HSH6115 , HSH8004 , HSH90P06 , HSK0008 .

History: SWB056R68E7T | SSP65R1K2S2E

 

 
Back to Top

 


 
.