HSH200N02 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSH200N02

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 343 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для HSH200N02

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSH200N02 даташит

 ..1. Size:721K  huashuo
 hsh200n02.pdf pdf_icon

HSH200N02

HSH200N02 N-Ch 200V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSH200N02 is the highest performance VDS 200 V trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density, which provide excellent RDSON and gate RDS(ON),typ 27 m charge for most of the synchronous buck ID 70 A converter applications. The HSH200N02 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS

Другие IGBT... HSCS2052, HSD6004, HSD6016, HSF10N65, HSH120N85, HSH150N04, HSH15810, HSH190N03, 8N60, HSH250N10, HSH3024, HSH6024A, HSH6040, HSH6115, HSH8004, HSH90P06, HSK0008