HSH200N02 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HSH200N02
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 70 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 110 nC
Время нарастания (tr): 18 ns
Выходная емкость (Cd): 343 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.033 Ohm
Тип корпуса: TO263
HSH200N02 Datasheet (PDF)
..1. Size:721K huashuo
hsh200n02.pdf
hsh200n02.pdf
HSH200N02 N-Ch 200V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSH200N02 is the highest performance VDS 200 V trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density, which provide excellent RDSON and gate RDS(ON),typ 27 m charge for most of the synchronous buck ID 70 A converter applications. The HSH200N02 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
