Справочник MOSFET. HSH200N02

 

HSH200N02 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSH200N02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 343 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для HSH200N02

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSH200N02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:721K  huashuo
 hsh200n02.pdf pdf_icon

HSH200N02

HSH200N02 N-Ch 200V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSH200N02 is the highest performance VDS 200 V trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density, which provide excellent RDSON and gate RDS(ON),typ 27 m charge for most of the synchronous buck ID 70 A converter applications. The HSH200N02 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS

Другие MOSFET... HSCS2052 , HSD6004 , HSD6016 , HSF10N65 , HSH120N85 , HSH150N04 , HSH15810 , HSH190N03 , K2611 , HSH250N10 , HSH3024 , HSH6024A , HSH6040 , HSH6115 , HSH8004 , HSH90P06 , HSK0008 .

History: RU4N65P | WSD2075DN | SST60R360S2E | SSF2439E | STB21NM60N-1 | IRFR540ZTRPBF | SFG250N08KF

 

 
Back to Top

 


 
.