HSH250N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSH250N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 411 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 250 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 195 nC
Tiempo de subida (tr): 21 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2100 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0023 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
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HSH250N10 Datasheet (PDF)
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HSH250N10 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary General Description V 100% EAS Guaranteed DS 100 V Green Device Available R 1.9 m DS(ON),typ Super Low RDS (ON) Advanced high cell density Trench I 250 A D technology TO263 Pin Configuration Applications MOTOR Driver. BMS. High frequency switching and synchronous recti
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History: SFB025N100C3 | SVGP104R5NAS
