HSH250N10 Todos los transistores

 

HSH250N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSH250N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 411 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 250 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0023 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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HSH250N10 Datasheet (PDF)

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HSH250N10

HSH250N10 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary General Description V 100% EAS Guaranteed DS 100 V Green Device Available R 1.9 m DS(ON),typ Super Low RDS (ON) Advanced high cell density Trench I 250 A D technology TO263 Pin Configuration Applications MOTOR Driver. BMS. High frequency switching and synchronous recti

Otros transistores... HSD6004 , HSD6016 , HSF10N65 , HSH120N85 , HSH150N04 , HSH15810 , HSH190N03 , HSH200N02 , AO3401 , HSH3024 , HSH6024A , HSH6040 , HSH6115 , HSH8004 , HSH90P06 , HSK0008 , HSK4N10 .

History: NCEP038N10GU | IRFB7434PBF | MTB080N15J3

 

 
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