Справочник MOSFET. HSH250N10

 

HSH250N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSH250N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 411 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 250 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0023 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для HSH250N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSH250N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:677K  huashuo
 hsh250n10.pdf pdf_icon

HSH250N10

HSH250N10 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary General Description V 100% EAS Guaranteed DS 100 V Green Device Available R 1.9 m DS(ON),typ Super Low RDS (ON) Advanced high cell density Trench I 250 A D technology TO263 Pin Configuration Applications MOTOR Driver. BMS. High frequency switching and synchronous recti

Другие MOSFET... HSD6004 , HSD6016 , HSF10N65 , HSH120N85 , HSH150N04 , HSH15810 , HSH190N03 , HSH200N02 , AO3401 , HSH3024 , HSH6024A , HSH6040 , HSH6115 , HSH8004 , HSH90P06 , HSK0008 , HSK4N10 .

History: TK100S04N1L | 2SK163 | BRCS4266SC | WMN22N50C4 | APM6055NU | KO3414 | SM1A11NSV

 

 
Back to Top

 


 
.