HSH250N10 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSH250N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 411 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 250 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0023 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для HSH250N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSH250N10 даташит

 ..1. Size:677K  huashuo
 hsh250n10.pdf pdf_icon

HSH250N10

HSH250N10 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary General Description V 100% EAS Guaranteed DS 100 V Green Device Available R 1.9 m DS(ON),typ Super Low RDS (ON) Advanced high cell density Trench I 250 A D technology TO263 Pin Configuration Applications MOTOR Driver. BMS. High frequency switching and synchronous recti

Другие IGBT... HSD6004, HSD6016, HSF10N65, HSH120N85, HSH150N04, HSH15810, HSH190N03, HSH200N02, P60NF06, HSH3024, HSH6024A, HSH6040, HSH6115, HSH8004, HSH90P06, HSK0008, HSK4N10