Справочник MOSFET. HSH250N10

 

HSH250N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSH250N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 411 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 250 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 195 nC
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0023 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HSH250N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:677K  huashuo
hsh250n10.pdfpdf_icon

HSH250N10

HSH250N10 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary General Description V 100% EAS Guaranteed DS 100 V Green Device Available R 1.9 m DS(ON),typ Super Low RDS (ON) Advanced high cell density Trench I 250 A D technology TO263 Pin Configuration Applications MOTOR Driver. BMS. High frequency switching and synchronous recti

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: NP60N04VDK | HM25N08D | IRFF9112 | 2SK1151L | RJK4015DPK | WMN26N65F2 | RU30160R

 

 
Back to Top

 


 
.