HSH250N10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HSH250N10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 411 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 250 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 21 ns
Выходная емкость (Cd): 2100 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0023 Ohm
Тип корпуса: TO263
HSH250N10 Datasheet (PDF)
..1. Size:677K huashuo
hsh250n10.pdf
hsh250n10.pdf
HSH250N10 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary General Description V 100% EAS Guaranteed DS 100 V Green Device Available R 1.9 m DS(ON),typ Super Low RDS (ON) Advanced high cell density Trench I 250 A D technology TO263 Pin Configuration Applications MOTOR Driver. BMS. High frequency switching and synchronous recti
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
