HSH3024 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSH3024
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 945 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0021 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de HSH3024 MOSFET
HSH3024 Datasheet (PDF)
hsh3024.pdf

HSH3024 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSH3024 is the high cell density trenched N-V 30 V DSch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous R 1.7 m DS(ON),typbuck converter applications. I 200 A DThe HSH3024 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function
Otros transistores... HSD6016 , HSF10N65 , HSH120N85 , HSH150N04 , HSH15810 , HSH190N03 , HSH200N02 , HSH250N10 , IRF520 , HSH6024A , HSH6040 , HSH6115 , HSH8004 , HSH90P06 , HSK0008 , HSK4N10 , HSL0004 .
History: STT3458N | OSG80R650AF | WMK28N50C4 | SSP90R420S2 | FDB42AN15F085 | VN2222L | SI7478DP-T1
History: STT3458N | OSG80R650AF | WMK28N50C4 | SSP90R420S2 | FDB42AN15F085 | VN2222L | SI7478DP-T1



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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