HSH3024 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSH3024

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 945 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0021 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для HSH3024

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSH3024 даташит

 ..1. Size:559K  huashuo
 hsh3024.pdf pdf_icon

HSH3024

HSH3024 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSH3024 is the high cell density trenched N- V 30 V DS ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous R 1.7 m DS(ON),typ buck converter applications. I 200 A D The HSH3024 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function

Другие IGBT... HSD6016, HSF10N65, HSH120N85, HSH150N04, HSH15810, HSH190N03, HSH200N02, HSH250N10, 75N75, HSH6024A, HSH6040, HSH6115, HSH8004, HSH90P06, HSK0008, HSK4N10, HSL0004