Справочник MOSFET. HSH3024

 

HSH3024 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HSH3024
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 65 nC
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 945 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0021 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для HSH3024

 

 

HSH3024 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:559K  huashuo
 hsh3024.pdf

HSH3024 HSH3024

HSH3024 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSH3024 is the high cell density trenched N-V 30 V DSch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous R 1.7 m DS(ON),typbuck converter applications. I 200 A DThe HSH3024 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top