Справочник MOSFET. HSH3024

 

HSH3024 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSH3024
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 65 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 945 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0021 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для HSH3024

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSH3024 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:559K  huashuo
 hsh3024.pdf pdf_icon

HSH3024

HSH3024 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSH3024 is the high cell density trenched N-V 30 V DSch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous R 1.7 m DS(ON),typbuck converter applications. I 200 A DThe HSH3024 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function

Другие MOSFET... HSD6016 , HSF10N65 , HSH120N85 , HSH150N04 , HSH15810 , HSH190N03 , HSH200N02 , HSH250N10 , IRF520 , HSH6024A , HSH6040 , HSH6115 , HSH8004 , HSH90P06 , HSK0008 , HSK4N10 , HSL0004 .

History: SFG10R140DF | WMO15N70C4

 

 
Back to Top

 


 
.