Справочник MOSFET. HSH3024

 

HSH3024 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HSH3024
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 200 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 65 nC
   Время нарастания (tr): 45 ns
   Выходная емкость (Cd): 945 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0021 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для HSH3024

 

 

HSH3024 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:559K  huashuo
 hsh3024.pdf

HSH3024 HSH3024

HSH3024 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSH3024 is the high cell density trenched N-V 30 V DSch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous R 1.7 m DS(ON),typbuck converter applications. I 200 A DThe HSH3024 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: UT100N03G-TQ2-T

 

 
Back to Top