HSH6024A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSH6024A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 214 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 160 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 83.7 nC
Tiempo de subida (tr): 73.3 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 571 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0048 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
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HSH6024A Datasheet (PDF)
hsh6024a.pdf
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hsh6040.pdf
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History: HGB046NE6AL
