HSH6024A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSH6024A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 73.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 571 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для HSH6024A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSH6024A даташит

 ..1. Size:435K  huashuo
 hsh6024a.pdf pdf_icon

HSH6024A

HSH6024A N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSH6024A is the high cell density trenched VDS 60 V N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the RDS(ON),MAX 4.8 m synchronous buck converter applications. ID 160 A The HSH6024A meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function rel

 9.1. Size:529K  huashuo
 hsh6040.pdf pdf_icon

HSH6024A

HSH6040 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSH6040 is the high cell density trenched N- VDS 60 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 4.3 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 140 A The HSH6040 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliabi

Другие IGBT... HSF10N65, HSH120N85, HSH150N04, HSH15810, HSH190N03, HSH200N02, HSH250N10, HSH3024, AO3400A, HSH6040, HSH6115, HSH8004, HSH90P06, HSK0008, HSK4N10, HSL0004, HSL0107