HSH6040 Todos los transistores

 

HSH6040 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSH6040
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 166 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 140 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 325 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

 Búsqueda de reemplazo de HSH6040 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HSH6040 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:529K  huashuo
 hsh6040.pdf pdf_icon

HSH6040

HSH6040 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSH6040 is the high cell density trenched N- VDS 60 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 4.3 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 140 A The HSH6040 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliabi

 9.1. Size:435K  huashuo
 hsh6024a.pdf pdf_icon

HSH6040

HSH6024A N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSH6024A is the high cell density trenched VDS 60 V N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the RDS(ON),MAX 4.8 m synchronous buck converter applications. ID 160 A The HSH6024A meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function rel

Otros transistores... HSH120N85 , HSH150N04 , HSH15810 , HSH190N03 , HSH200N02 , HSH250N10 , HSH3024 , HSH6024A , IRF730 , HSH6115 , HSH8004 , HSH90P06 , HSK0008 , HSK4N10 , HSL0004 , HSL0107 , HSL03N20 .

History: NP60N04VDK | IRF9Z34NSPBF

 

 
Back to Top

 


 
.