HSH6040 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSH6040

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 166 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 140 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 325 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm

Encapsulados: TO263

 Búsqueda de reemplazo de HSH6040 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HSH6040 datasheet

 ..1. Size:529K  huashuo
 hsh6040.pdf pdf_icon

HSH6040

HSH6040 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSH6040 is the high cell density trenched N- VDS 60 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 4.3 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 140 A The HSH6040 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliabi

 9.1. Size:435K  huashuo
 hsh6024a.pdf pdf_icon

HSH6040

HSH6024A N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSH6024A is the high cell density trenched VDS 60 V N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the RDS(ON),MAX 4.8 m synchronous buck converter applications. ID 160 A The HSH6024A meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function rel

Otros transistores... HSH120N85, HSH150N04, HSH15810, HSH190N03, HSH200N02, HSH250N10, HSH3024, HSH6024A, IRFB31N20D, HSH6115, HSH8004, HSH90P06, HSK0008, HSK4N10, HSL0004, HSL0107, HSL03N20