HSH6040 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSH6040
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 166 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 140 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 75 nC
Tiempo de subida (tr): 8.8 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 325 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0052 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HSH6040
HSH6040 Datasheet (PDF)
hsh6040.pdf
HSH6040 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSH6040 is the high cell density trenched N- VDS 60 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 4.3 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 140 A The HSH6040 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliabi
hsh6024a.pdf
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