HSH6040 - аналоги и даташиты транзистора

 

HSH6040 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HSH6040
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 325 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для HSH6040

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSH6040 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:529K  huashuo
 hsh6040.pdf pdf_icon

HSH6040

HSH6040 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSH6040 is the high cell density trenched N- VDS 60 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 4.3 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 140 A The HSH6040 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliabi

 9.1. Size:435K  huashuo
 hsh6024a.pdf pdf_icon

HSH6040

HSH6024A N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSH6024A is the high cell density trenched VDS 60 V N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the RDS(ON),MAX 4.8 m synchronous buck converter applications. ID 160 A The HSH6024A meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function rel

Другие MOSFET... HSH120N85 , HSH150N04 , HSH15810 , HSH190N03 , HSH200N02 , HSH250N10 , HSH3024 , HSH6024A , IRFZ46N , HSH6115 , HSH8004 , HSH90P06 , HSK0008 , HSK4N10 , HSL0004 , HSL0107 , HSL03N20 .

 

 
Back to Top

 


 
.