HSH6040 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HSH6040
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 325 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm
Тип корпуса: TO263
HSH6040 Datasheet (PDF)
hsh6040.pdf

HSH6040 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSH6040 is the high cell density trenched N- VDS 60 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 4.3 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 140 A The HSH6040 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliabi
hsh6024a.pdf

HSH6024A N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSH6024A is the high cell density trenched VDS 60 V N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the RDS(ON),MAX 4.8 m synchronous buck converter applications. ID 160 A The HSH6024A meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function rel
Другие MOSFET... HSH120N85 , HSH150N04 , HSH15810 , HSH190N03 , HSH200N02 , HSH250N10 , HSH3024 , HSH6024A , IRF730 , HSH6115 , HSH8004 , HSH90P06 , HSK0008 , HSK4N10 , HSL0004 , HSL0107 , HSL03N20 .
History: NCEP50P80 | R6006JND3
History: NCEP50P80 | R6006JND3



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ11DN10A | JMTQ100P03A | JMTQ100N04A | JMTQ100N03D | JMTQ100N03A | JMTK90N02A | JMTK80N06A | JMTK75N02A | JMTK70N07A | JMTK60N04B | JMTK58N06B | JMTK50P03A | JMTK50P02A | JMTK50N06B | JMTK50N03A | JMTK500N10A
Popular searches
b1565 | nce82h140 | 2n2369 equivalent | 2sd313 datasheet | k8a50d datasheet | 2sc381 | datasheet mosfet | 2sk2586