HSH6115 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSH6115

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 86.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 224 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: TO263

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HSH6115 datasheet

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HSH6115

HSH6115 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSH6115 is the high cell density trenched P- V -60 V DS ch MOSFETs, which provide excellent RDSON R and gate charge for most of the synchronous DS(ON),max 25 m buck converter applications. I -45 A D The HSH6115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function rel

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