HSH6115 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSH6115
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 86.8 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 45 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 25 nC
Tiempo de subida (tr): 23.6 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 224 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.025 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
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HSH6115 Datasheet (PDF)
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HSH6115 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSH6115 is the high cell density trenched P-V -60 V DSch MOSFETs, which provide excellent RDSON R and gate charge for most of the synchronous DS(ON),max 25 m buck converter applications. I -45 A DThe HSH6115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function rel
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