Справочник MOSFET. HSH6115

 

HSH6115 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSH6115
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 86.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 224 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для HSH6115

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSH6115 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:533K  huashuo
 hsh6115.pdf pdf_icon

HSH6115

HSH6115 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSH6115 is the high cell density trenched P-V -60 V DSch MOSFETs, which provide excellent RDSON R and gate charge for most of the synchronous DS(ON),max 25 m buck converter applications. I -45 A DThe HSH6115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function rel

Другие MOSFET... HSH150N04 , HSH15810 , HSH190N03 , HSH200N02 , HSH250N10 , HSH3024 , HSH6024A , HSH6040 , IRFZ48N , HSH8004 , HSH90P06 , HSK0008 , HSK4N10 , HSL0004 , HSL0107 , HSL03N20 , HSL6008 .

History: STB230NH03L | SI9435BDY-T1-E3 | HSL0107 | NCE30P20Q | RU75N08 | NCEP050N85 | FCB20N60F085

 

 
Back to Top

 


 
.