Справочник MOSFET. HSH6115

 

HSH6115 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HSH6115
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 86.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 23.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 224 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для HSH6115

 

 

HSH6115 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:533K  huashuo
 hsh6115.pdf

HSH6115 HSH6115

HSH6115 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSH6115 is the high cell density trenched P-V -60 V DSch MOSFETs, which provide excellent RDSON R and gate charge for most of the synchronous DS(ON),max 25 m buck converter applications. I -45 A DThe HSH6115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function rel

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: ZXMP3F37N8

 

 
Back to Top