HSH6115 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSH6115

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 86.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 224 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для HSH6115

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSH6115 даташит

 ..1. Size:533K  huashuo
 hsh6115.pdf pdf_icon

HSH6115

HSH6115 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSH6115 is the high cell density trenched P- V -60 V DS ch MOSFETs, which provide excellent RDSON R and gate charge for most of the synchronous DS(ON),max 25 m buck converter applications. I -45 A D The HSH6115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function rel

Другие IGBT... HSH150N04, HSH15810, HSH190N03, HSH200N02, HSH250N10, HSH3024, HSH6024A, HSH6040, STP65NF06, HSH8004, HSH90P06, HSK0008, HSK4N10, HSL0004, HSL0107, HSL03N20, HSL6008