HSH8004 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HSH8004
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 175 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 80 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HSH8004

HSH8004 Datasheet (PDF)

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hsh8004.pdf

HSH8004 N-Ch 80V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 80 V DSThe HSH8004 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 3.1 m DS(ON),TYPgate charge for most of the synchronous buck converter applications. I 175 A DThe HSH8004 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function

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Liste

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