HSH8004 Todos los transistores

 

HSH8004 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSH8004
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 175 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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HSH8004 Datasheet (PDF)

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HSH8004

HSH8004 N-Ch 80V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 80 V DSThe HSH8004 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 3.1 m DS(ON),TYPgate charge for most of the synchronous buck converter applications. I 175 A DThe HSH8004 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function

Otros transistores... HSH15810 , HSH190N03 , HSH200N02 , HSH250N10 , HSH3024 , HSH6024A , HSH6040 , HSH6115 , NCEP15T14 , HSH90P06 , HSK0008 , HSK4N10 , HSL0004 , HSL0107 , HSL03N20 , HSL6008 , HSL6107 .

History: WPMD3002 | SFG10R08BF

 

 
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