HSH8004 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSH8004

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 175 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm

Encapsulados: TO263

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HSH8004 datasheet

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HSH8004

HSH8004 N-Ch 80V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 80 V DS The HSH8004 is the high cell density trenched N- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 3.1 m DS(ON),TYP gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I 175 A D The HSH8004 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function

Otros transistores... HSH15810, HSH190N03, HSH200N02, HSH250N10, HSH3024, HSH6024A, HSH6040, HSH6115, IRF1405, HSH90P06, HSK0008, HSK4N10, HSL0004, HSL0107, HSL03N20, HSL6008, HSL6107