HSH8004 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSH8004
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 192 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 175 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 80 nC
Tiempo de subida (tr): 32 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 800 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0035 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
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HSH8004 Datasheet (PDF)
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HSH8004 N-Ch 80V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 80 V DSThe HSH8004 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 3.1 m DS(ON),TYPgate charge for most of the synchronous buck converter applications. I 175 A DThe HSH8004 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function
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