Справочник MOSFET. HSH8004

 

HSH8004 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSH8004
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 175 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для HSH8004

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSH8004 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:767K  huashuo
 hsh8004.pdf pdf_icon

HSH8004

HSH8004 N-Ch 80V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 80 V DSThe HSH8004 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 3.1 m DS(ON),TYPgate charge for most of the synchronous buck converter applications. I 175 A DThe HSH8004 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function

Другие MOSFET... HSH15810 , HSH190N03 , HSH200N02 , HSH250N10 , HSH3024 , HSH6024A , HSH6040 , HSH6115 , NCEP15T14 , HSH90P06 , HSK0008 , HSK4N10 , HSL0004 , HSL0107 , HSL03N20 , HSL6008 , HSL6107 .

History: NCEP01T12 | OSG60R074HZF | PS75N75 | FQB5N60CTM_WS | HUFA75344S3 | NCE30P12S | NCE65N680I

 

 
Back to Top

 


 
.