HSH8004 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HSH8004
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 192 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 175 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Время нарастания (tr): 32 ns
Выходная емкость (Cd): 800 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0035 Ohm
Тип корпуса: TO263
HSH8004 Datasheet (PDF)
..1. Size:767K huashuo
hsh8004.pdf
hsh8004.pdf
HSH8004 N-Ch 80V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 80 V DSThe HSH8004 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 3.1 m DS(ON),TYPgate charge for most of the synchronous buck converter applications. I 175 A DThe HSH8004 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
