HSH8004 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSH8004

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 175 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для HSH8004

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSH8004 даташит

 ..1. Size:767K  huashuo
 hsh8004.pdf pdf_icon

HSH8004

HSH8004 N-Ch 80V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 80 V DS The HSH8004 is the high cell density trenched N- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 3.1 m DS(ON),TYP gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I 175 A D The HSH8004 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function

Другие IGBT... HSH15810, HSH190N03, HSH200N02, HSH250N10, HSH3024, HSH6024A, HSH6040, HSH6115, IRF1405, HSH90P06, HSK0008, HSK4N10, HSL0004, HSL0107, HSL03N20, HSL6008, HSL6107