HSH90P06 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSH90P06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 210 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 88 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 501 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: TO263

 Búsqueda de reemplazo de HSH90P06 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HSH90P06 datasheet

 ..1. Size:925K  huashuo
 hsh90p06.pdf pdf_icon

HSH90P06

HSH90P06 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSH90P06 is the high cell density trenched VDS -60 V P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON RDS(ON),typ 7.5 m and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -85 A The HSH90P06 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reli

Otros transistores... HSH190N03, HSH200N02, HSH250N10, HSH3024, HSH6024A, HSH6040, HSH6115, HSH8004, 7N60, HSK0008, HSK4N10, HSL0004, HSL0107, HSL03N20, HSL6008, HSL6107, HSM0026