HSH90P06 Todos los transistores

 

HSH90P06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSH90P06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 210 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 88 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 501 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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HSH90P06 Datasheet (PDF)

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HSH90P06

HSH90P06 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSH90P06 is the high cell density trenched VDS -60 V P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON RDS(ON),typ 7.5 m and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -85 A The HSH90P06 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reli

Otros transistores... HSH190N03 , HSH200N02 , HSH250N10 , HSH3024 , HSH6024A , HSH6040 , HSH6115 , HSH8004 , IRF830 , HSK0008 , HSK4N10 , HSL0004 , HSL0107 , HSL03N20 , HSL6008 , HSL6107 , HSM0026 .

History: HSH8004 | CJK3415 | CEM3252L | HSK4N10 | FQB5N60CTM_WS | FQA7N80C-F109 | SIB914DK

 

 
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