HSH90P06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSH90P06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 210 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 85 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 170 nC
Tiempo de subida (tr): 88 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 501 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.009 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
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HSH90P06 Datasheet (PDF)
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HSH90P06 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSH90P06 is the high cell density trenched VDS -60 V P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON RDS(ON),typ 7.5 m and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -85 A The HSH90P06 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reli
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