HSH90P06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HSH90P06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 210 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 85 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 170 nC
Время нарастания (tr): 88 ns
Выходная емкость (Cd): 501 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO263
HSH90P06 Datasheet (PDF)
..1. Size:925K huashuo
hsh90p06.pdf
hsh90p06.pdf
HSH90P06 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSH90P06 is the high cell density trenched VDS -60 V P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON RDS(ON),typ 7.5 m and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -85 A The HSH90P06 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reli
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
