Справочник MOSFET. HSH90P06

 

HSH90P06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSH90P06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 88 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 501 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для HSH90P06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSH90P06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:925K  huashuo
 hsh90p06.pdf pdf_icon

HSH90P06

HSH90P06 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSH90P06 is the high cell density trenched VDS -60 V P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON RDS(ON),typ 7.5 m and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -85 A The HSH90P06 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reli

Другие MOSFET... HSH190N03 , HSH200N02 , HSH250N10 , HSH3024 , HSH6024A , HSH6040 , HSH6115 , HSH8004 , MMIS60R580P , HSK0008 , HSK4N10 , HSL0004 , HSL0107 , HSL03N20 , HSL6008 , HSL6107 , HSM0026 .

History: SVD640S | HSM1641 | MTP1N100 | RFH10N45 | 50N06G-TF3-T | WMM80R260S | SCT10N120

 

 
Back to Top

 


 
.