HSK0008 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSK0008
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 2.2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 9.7 nC
Tiempo de subida (tr): 19 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 29 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.31 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT89
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HSK0008 Datasheet (PDF)
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HSK0008 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSK0008 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),max 310 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID 2.2 A The HSK0008 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approv
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