Справочник MOSFET. HSK0008

 

HSK0008 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSK0008
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm
   Тип корпуса: SOT89
 

 Аналог (замена) для HSK0008

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSK0008 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:453K  huashuo
 hsk0008.pdf pdf_icon

HSK0008

HSK0008 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSK0008 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),max 310 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID 2.2 A The HSK0008 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approv

Другие MOSFET... HSH200N02 , HSH250N10 , HSH3024 , HSH6024A , HSH6040 , HSH6115 , HSH8004 , HSH90P06 , RU7088R , HSK4N10 , HSL0004 , HSL0107 , HSL03N20 , HSL6008 , HSL6107 , HSM0026 , HSM0048 .

History: WMO20P15TS | WMO190N15HG4 | IRLI3615P | RCJ100N25 | VTI640F | IRFZ44ELPBF | NP60N055KUG

 

 
Back to Top

 


 
.