HSK0008 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSK0008

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm

Тип корпуса: SOT89

Аналог (замена) для HSK0008

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSK0008 даташит

 ..1. Size:453K  huashuo
 hsk0008.pdf pdf_icon

HSK0008

HSK0008 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSK0008 is the high cell density trenched N- ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),max 310 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID 2.2 A The HSK0008 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approv

Другие IGBT... HSH200N02, HSH250N10, HSH3024, HSH6024A, HSH6040, HSH6115, HSH8004, HSH90P06, IRFZ48N, HSK4N10, HSL0004, HSL0107, HSL03N20, HSL6008, HSL6107, HSM0026, HSM0048