Справочник MOSFET. HSK0008

 

HSK0008 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSK0008
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm
   Тип корпуса: SOT89
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HSK0008 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:453K  huashuo
 hsk0008.pdf pdf_icon

HSK0008

HSK0008 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSK0008 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),max 310 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID 2.2 A The HSK0008 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approv

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: HSBB3105

 

 
Back to Top

 


 
.