HSK4N10 Todos los transistores

 

HSK4N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSK4N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 31 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.165 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

 Búsqueda de reemplazo de HSK4N10 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HSK4N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:434K  huashuo
 hsk4n10.pdf pdf_icon

HSK4N10

HSK4N10 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSK4N10 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 150 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 4 A The HSK4N10 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. Gre

Otros transistores... HSH250N10 , HSH3024 , HSH6024A , HSH6040 , HSH6115 , HSH8004 , HSH90P06 , HSK0008 , STP65NF06 , HSL0004 , HSL0107 , HSL03N20 , HSL6008 , HSL6107 , HSM0026 , HSM0048 , HSM0094 .

History: NCE30ND09S | HSBG2024 | SIS472ADN | WPM3407 | NCE30H15K | HSCB20D03 | STB25NM50N-1

 

 
Back to Top

 


 
.