Справочник MOSFET. HSK4N10

 

HSK4N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSK4N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm
   Тип корпуса: SOT89
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HSK4N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:434K  huashuo
 hsk4n10.pdf pdf_icon

HSK4N10

HSK4N10 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSK4N10 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 150 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 4 A The HSK4N10 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. Gre

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top

 


 
.