HSK4N10 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSK4N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm

Тип корпуса: SOT89

Аналог (замена) для HSK4N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSK4N10 даташит

 ..1. Size:434K  huashuo
 hsk4n10.pdf pdf_icon

HSK4N10

HSK4N10 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSK4N10 is the high cell density trenched N- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 150 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 4 A The HSK4N10 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. Gre

Другие IGBT... HSH250N10, HSH3024, HSH6024A, HSH6040, HSH6115, HSH8004, HSH90P06, HSK0008, IRFZ46N, HSL0004, HSL0107, HSL03N20, HSL6008, HSL6107, HSM0026, HSM0048, HSM0094