Справочник MOSFET. HSK4N10

 

HSK4N10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HSK4N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm
   Тип корпуса: SOT89

 Аналог (замена) для HSK4N10

 

 

HSK4N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:434K  huashuo
 hsk4n10.pdf

HSK4N10 HSK4N10

HSK4N10 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSK4N10 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 150 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 4 A The HSK4N10 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. Gre

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: MTW32N20E

 

 
Back to Top