Справочник MOSFET. HSK4N10

 

HSK4N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSK4N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm
   Тип корпуса: SOT89
 

 Аналог (замена) для HSK4N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSK4N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:434K  huashuo
 hsk4n10.pdf pdf_icon

HSK4N10

HSK4N10 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSK4N10 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 150 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 4 A The HSK4N10 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. Gre

Другие MOSFET... HSH250N10 , HSH3024 , HSH6024A , HSH6040 , HSH6115 , HSH8004 , HSH90P06 , HSK0008 , STP65NF06 , HSL0004 , HSL0107 , HSL03N20 , HSL6008 , HSL6107 , HSM0026 , HSM0048 , HSM0094 .

History: SGL100N025 | SW1N60A

 

 
Back to Top

 


 
.