HSL0004 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HSL0004
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.5 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 26.2 nC
   Tiempo de subida (tr): 7.6 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 60 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.112 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

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HSL0004 Datasheet (PDF)

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hsl0004.pdf

HSL0004 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSL0004 is the high cell density trenched VDS 100 V N-ch MOSFETs, which provides excellent RDS(ON),typ 90 m RDSON and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID 3 A The HSL0004 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability appr

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