HSL0004 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSL0004

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.112 Ohm

Encapsulados: SOT223

 Búsqueda de reemplazo de HSL0004 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HSL0004 datasheet

 ..1. Size:278K  huashuo
 hsl0004.pdf pdf_icon

HSL0004

HSL0004 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSL0004 is the high cell density trenched VDS 100 V N-ch MOSFETs, which provides excellent RDS(ON),typ 90 m RDSON and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID 3 A The HSL0004 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability appr

Otros transistores... HSH3024, HSH6024A, HSH6040, HSH6115, HSH8004, HSH90P06, HSK0008, HSK4N10, IRF830, HSL0107, HSL03N20, HSL6008, HSL6107, HSM0026, HSM0048, HSM0094, HSM0204