HSL0004 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSL0004

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.112 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для HSL0004

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSL0004 даташит

 ..1. Size:278K  huashuo
 hsl0004.pdf pdf_icon

HSL0004

HSL0004 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSL0004 is the high cell density trenched VDS 100 V N-ch MOSFETs, which provides excellent RDS(ON),typ 90 m RDSON and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID 3 A The HSL0004 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability appr

Другие IGBT... HSH3024, HSH6024A, HSH6040, HSH6115, HSH8004, HSH90P06, HSK0008, HSK4N10, IRF830, HSL0107, HSL03N20, HSL6008, HSL6107, HSM0026, HSM0048, HSM0094, HSM0204