Справочник MOSFET. HSL0004

 

HSL0004 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HSL0004
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 26.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 7.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.112 Ohm
   Тип корпуса: SOT223

 Аналог (замена) для HSL0004

 

 

HSL0004 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:278K  huashuo
 hsl0004.pdf

HSL0004 HSL0004

HSL0004 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSL0004 is the high cell density trenched VDS 100 V N-ch MOSFETs, which provides excellent RDS(ON),typ 90 m RDSON and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID 3 A The HSL0004 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability appr

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top