Справочник MOSFET. HSL0004

 

HSL0004 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSL0004
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 26.2 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.112 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для HSL0004

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSL0004 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:278K  huashuo
 hsl0004.pdf pdf_icon

HSL0004

HSL0004 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSL0004 is the high cell density trenched VDS 100 V N-ch MOSFETs, which provides excellent RDS(ON),typ 90 m RDSON and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID 3 A The HSL0004 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability appr

Другие MOSFET... HSH3024 , HSH6024A , HSH6040 , HSH6115 , HSH8004 , HSH90P06 , HSK0008 , HSK4N10 , IRF1405 , HSL0107 , HSL03N20 , HSL6008 , HSL6107 , HSM0026 , HSM0048 , HSM0094 , HSM0204 .

History: WSD2054DN22 | WMT04P06TS | SWD10N65K2

 

 
Back to Top

 


 
.