HSL03N20 Todos los transistores

 

HSL03N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSL03N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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HSL03N20 Datasheet (PDF)

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HSL03N20

HSL03N20 N-Ch 200V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSL03N20 is the high cell density VDS 200 V trenched N-ch MOSFETs, which provides RDS(ON),typ 0.6 excellent RDSON and efficiency for most of the small power switching and load switch ID 1.5 A applications. The HSL03N20 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliabili

Otros transistores... HSH6040 , HSH6115 , HSH8004 , HSH90P06 , HSK0008 , HSK4N10 , HSL0004 , HSL0107 , MMD60R360PRH , HSL6008 , HSL6107 , HSM0026 , HSM0048 , HSM0094 , HSM0204 , HSM0228 , HSM1562 .

History: FQA7N80C-F109 | IXFT120N25T | AM4407 | AM4403 | AM4403P | CSD17313Q2 | CJK3415

 

 
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