HSL03N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSL03N20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 1.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 15 nC
Tiempo de subida (tr): 30 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 125 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT223
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HSL03N20
HSL03N20 Datasheet (PDF)
hsl03n20.pdf
HSL03N20 N-Ch 200V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSL03N20 is the high cell density VDS 200 V trenched N-ch MOSFETs, which provides RDS(ON),typ 0.6 excellent RDSON and efficiency for most of the small power switching and load switch ID 1.5 A applications. The HSL03N20 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliabili
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C