Справочник MOSFET. HSL03N20

 

HSL03N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSL03N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HSL03N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:859K  huashuo
 hsl03n20.pdf pdf_icon

HSL03N20

HSL03N20 N-Ch 200V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSL03N20 is the high cell density VDS 200 V trenched N-ch MOSFETs, which provides RDS(ON),typ 0.6 excellent RDSON and efficiency for most of the small power switching and load switch ID 1.5 A applications. The HSL03N20 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliabili

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: WMS06N15T2

 

 
Back to Top

 


 
.