Справочник MOSFET. HSL03N20

 

HSL03N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSL03N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для HSL03N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSL03N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:859K  huashuo
 hsl03n20.pdf pdf_icon

HSL03N20

HSL03N20 N-Ch 200V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSL03N20 is the high cell density VDS 200 V trenched N-ch MOSFETs, which provides RDS(ON),typ 0.6 excellent RDSON and efficiency for most of the small power switching and load switch ID 1.5 A applications. The HSL03N20 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliabili

Другие MOSFET... HSH6040 , HSH6115 , HSH8004 , HSH90P06 , HSK0008 , HSK4N10 , HSL0004 , HSL0107 , AON7403 , HSL6008 , HSL6107 , HSM0026 , HSM0048 , HSM0094 , HSM0204 , HSM0228 , HSM1562 .

History: IPF13N03LAG | 2SJ302-ZJ | IRF6218 | SVT085R5NT | SL2102 | IXFP36N20X3 | NCE30H12

 

 
Back to Top

 


 
.