HSL03N20 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSL03N20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для HSL03N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSL03N20 даташит

 ..1. Size:859K  huashuo
 hsl03n20.pdf pdf_icon

HSL03N20

HSL03N20 N-Ch 200V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSL03N20 is the high cell density VDS 200 V trenched N-ch MOSFETs, which provides RDS(ON),typ 0.6 excellent RDSON and efficiency for most of the small power switching and load switch ID 1.5 A applications. The HSL03N20 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliabili

Другие IGBT... HSH6040, HSH6115, HSH8004, HSH90P06, HSK0008, HSK4N10, HSL0004, HSL0107, IRF9640, HSL6008, HSL6107, HSM0026, HSM0048, HSM0094, HSM0204, HSM0228, HSM1562