HSL6008 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSL6008
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT223
Búsqueda de reemplazo de HSL6008 MOSFET
HSL6008 Datasheet (PDF)
hsl6008.pdf
HSL6008 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description VDS 60 V The HSL6008 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),TYP 80 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID 2.8 A The HSL6008 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approve
Otros transistores... HSH6115 , HSH8004 , HSH90P06 , HSK0008 , HSK4N10 , HSL0004 , HSL0107 , HSL03N20 , IRF520 , HSL6107 , HSM0026 , HSM0048 , HSM0094 , HSM0204 , HSM0228 , HSM1562 , HSM1564 .
History: CSY9140C | NCEP40T20ALL
History: CSY9140C | NCEP40T20ALL
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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