HSL6008 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSL6008

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: SOT223

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HSL6008 datasheet

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HSL6008

HSL6008 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description VDS 60 V The HSL6008 is the high cell density trenched N- ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),TYP 80 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID 2.8 A The HSL6008 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approve

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