HSL6008 Todos los transistores

 

HSL6008 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSL6008
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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HSL6008 Datasheet (PDF)

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HSL6008

HSL6008 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description VDS 60 V The HSL6008 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),TYP 80 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID 2.8 A The HSL6008 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approve

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History: FQPF11N40T | SRC60R064S | IRFF9112 | AUIRF7341Q | PJF4NA65A | STP6NK60Z | NCEP050N10M

 

 
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