HSL6008 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSL6008

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для HSL6008

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSL6008 даташит

 ..1. Size:288K  huashuo
 hsl6008.pdf pdf_icon

HSL6008

HSL6008 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description VDS 60 V The HSL6008 is the high cell density trenched N- ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),TYP 80 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID 2.8 A The HSL6008 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approve

Другие IGBT... HSH6115, HSH8004, HSH90P06, HSK0008, HSK4N10, HSL0004, HSL0107, HSL03N20, IRFB7545, HSL6107, HSM0026, HSM0048, HSM0094, HSM0204, HSM0228, HSM1562, HSM1564