Справочник MOSFET. HSL6008

 

HSL6008 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSL6008
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для HSL6008

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSL6008 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:288K  huashuo
 hsl6008.pdf pdf_icon

HSL6008

HSL6008 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description VDS 60 V The HSL6008 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),TYP 80 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID 2.8 A The HSL6008 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approve

Другие MOSFET... HSH6115 , HSH8004 , HSH90P06 , HSK0008 , HSK4N10 , HSL0004 , HSL0107 , HSL03N20 , 8N60 , HSL6107 , HSM0026 , HSM0048 , HSM0094 , HSM0204 , HSM0228 , HSM1562 , HSM1564 .

History: WMM15N65F2 | IRF7380Q | NCE4005 | NCE2304 | IRFU7746 | MTB080N15J3 | SUN0760F

 

 
Back to Top

 


 
.