HSL6107 Todos los transistores

 

HSL6107 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSL6107
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 59 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
     - Selección de transistores por parámetros

 

HSL6107 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:528K  huashuo
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HSL6107

HSL6107 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSL6107 is the high cell density trenched P-ch VDS -60 V MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),max 180 m converter applications. ID -2.3 A The HSL6107 meet the RoHS and Green Product requirement,100% EAS guaranteed with full function rel

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History: SL2309A | AOK160A60FDL | SSM4502GM | FQD20N06L | FPF1C2P5BF07A | 24NM60G-TQ2-T | SGSP341

 

 
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