HSL6107 - аналоги и даташиты транзистора

 

HSL6107 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HSL6107
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 59 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для HSL6107

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSL6107 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:528K  huashuo
 hsl6107.pdf pdf_icon

HSL6107

HSL6107 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSL6107 is the high cell density trenched P-ch VDS -60 V MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),max 180 m converter applications. ID -2.3 A The HSL6107 meet the RoHS and Green Product requirement,100% EAS guaranteed with full function rel

Другие MOSFET... HSH8004 , HSH90P06 , HSK0008 , HSK4N10 , HSL0004 , HSL0107 , HSL03N20 , HSL6008 , EMB04N03H , HSM0026 , HSM0048 , HSM0094 , HSM0204 , HSM0228 , HSM1562 , HSM1564 , HSM1641 .

History: NCE82H140 | GSM3009S | PD5B3BA | JCS3910F | WMS175DN10LG4 | UTT18P10L-TA3-T | IPP147N12N3

 

 
Back to Top

 


 
.