HSL6107 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSL6107

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 59 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для HSL6107

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSL6107 даташит

 ..1. Size:528K  huashuo
 hsl6107.pdf pdf_icon

HSL6107

HSL6107 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSL6107 is the high cell density trenched P-ch VDS -60 V MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),max 180 m converter applications. ID -2.3 A The HSL6107 meet the RoHS and Green Product requirement,100% EAS guaranteed with full function rel

Другие IGBT... HSH8004, HSH90P06, HSK0008, HSK4N10, HSL0004, HSL0107, HSL03N20, HSL6008, AON7403, HSM0026, HSM0048, HSM0094, HSM0204, HSM0228, HSM1562, HSM1564, HSM1641