HSL6107 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HSL6107
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 5.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 59 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
Тип корпуса: SOT223
HSL6107 Datasheet (PDF)
hsl6107.pdf
HSL6107 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSL6107 is the high cell density trenched P-ch VDS -60 V MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),max 180 m converter applications. ID -2.3 A The HSL6107 meet the RoHS and Green Product requirement,100% EAS guaranteed with full function rel
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918