HSL6107 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HSL6107
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 59 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
Тип корпуса: SOT223
Аналог (замена) для HSL6107
HSL6107 Datasheet (PDF)
hsl6107.pdf

HSL6107 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSL6107 is the high cell density trenched P-ch VDS -60 V MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),max 180 m converter applications. ID -2.3 A The HSL6107 meet the RoHS and Green Product requirement,100% EAS guaranteed with full function rel
Другие MOSFET... HSH8004 , HSH90P06 , HSK0008 , HSK4N10 , HSL0004 , HSL0107 , HSL03N20 , HSL6008 , HY1906P , HSM0026 , HSM0048 , HSM0094 , HSM0204 , HSM0228 , HSM1562 , HSM1564 , HSM1641 .
History: CSD87352Q5D | IPP80N04S3-04 | NCEP40T17AG
History: CSD87352Q5D | IPP80N04S3-04 | NCEP40T17AG



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP70P03DF | AP70P03D | AP70P02D | AP70N12NF | AP70N12D | AP70N06HD | AP70N04NF | AP70N03NF | AP70N02NF | AP70N02DF | AP6P06MI | AP6P03SI | AP6N40D | AP6N12MI | AP6N10MI | AP5N10SI
Popular searches
irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073 | nte102a | tip31cg | s9015 transistor