SSU2N60A Todos los transistores

 

SSU2N60A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSU2N60A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK
 

 Búsqueda de reemplazo de SSU2N60A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SSU2N60A datasheet

 ..1. Size:201K  1
 ssu2n60a ssr2n60a.pdf pdf_icon

SSU2N60A

 7.1. Size:645K  fairchild semi
 ssr2n60b ssu2n60b.pdf pdf_icon

SSU2N60A

November 2001 SSR2N60B / SSU2N60B 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 1.8A, 600V, RDS(on) = 5.0 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 12.5 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.6 pF) This advanced technology has been especially tailored

 9.1. Size:498K  samsung
 ssu2n80a.pdf pdf_icon

SSU2N60A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 800 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 6.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 1.7 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) 4.688 (Typ.) 1 2 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Val

Otros transistores... SSS6N90A , SSS70N10A , SSS7N60A , SSS7N80A , SSS80N06A , SSU1N50 , SSU1N50A , SSU1N60A , 4435 , SSU3055A , SSU3055LA , SSW1N50A , SSW1N60A , SSW2N60A , SSW2N80A , SSW2N90A , SSW3N80A .

History: IRFP353R

 

 
Back to Top

 


 
.