SSU2N60A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSU2N60A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 38 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 5 Ohm
Тип корпуса: IPAK
SSU2N60A Datasheet (PDF)
ssr2n60b ssu2n60b.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
November 2001SSR2N60B / SSU2N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 1.8A, 600V, RDS(on) = 5.0 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 12.5 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.6 pF)This advanced technology has been especially tailored
ssu2n80a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 6.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 1.7 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 4.688 (Typ.)1231. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Val
Другие MOSFET... SSS6N90A , SSS70N10A , SSS7N60A , SSS7N80A , SSS80N06A , SSU1N50 , SSU1N50A , SSU1N60A , 4435 , SSU3055A , SSU3055LA , SSW1N50A , SSW1N60A , SSW2N60A , SSW2N80A , SSW2N90A , SSW3N80A .