HSM0228 Todos los transistores

 

HSM0228 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSM0228
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.068 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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HSM0228 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:620K  huashuo
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HSM0228

HSM0228 Dual N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSM0228 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 68 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 4 A The HSM0228 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

 9.1. Size:2062K  huashuo
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HSM0228

HSM0204 Dual N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSM0204 is the high cell density trenched N- ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),max 112 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID 2.5 A The HSM0204 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliab

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History: WPM2341 | NCEP045N85G | IPI65R280E6 | RCD060N25 | JFPC18N60CI | IPL65R130C7 | NCEP090N20D

 

 
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