HSM0228 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSM0228

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.068 Ohm

Encapsulados: SOP8

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HSM0228 datasheet

 ..1. Size:620K  huashuo
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HSM0228

HSM0228 Dual N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSM0228 is the high cell density trenched N- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 68 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 4 A The HSM0228 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

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HSM0228

HSM0204 Dual N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSM0204 is the high cell density trenched N- ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),max 112 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID 2.5 A The HSM0204 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliab

Otros transistores... HSL0107, HSL03N20, HSL6008, HSL6107, HSM0026, HSM0048, HSM0094, HSM0204, AOD4184A, HSM1562, HSM1564, HSM1641, HSM20N02, HSM2202, HSM24P03, HSM2627, HSM2903