Справочник MOSFET. HSM0228

 

HSM0228 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HSM0228
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   trⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.068 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для HSM0228

 

 

HSM0228 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:620K  huashuo
hsm0228.pdf

HSM0228
HSM0228

HSM0228 Dual N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSM0228 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 68 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 4 A The HSM0228 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

 9.1. Size:2062K  huashuo
hsm0204.pdf

HSM0228
HSM0228

HSM0204 Dual N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSM0204 is the high cell density trenched N- ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),max 112 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID 2.5 A The HSM0204 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliab

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top