HSM0228 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSM0228

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.068 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для HSM0228

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSM0228 даташит

 ..1. Size:620K  huashuo
 hsm0228.pdf pdf_icon

HSM0228

HSM0228 Dual N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSM0228 is the high cell density trenched N- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 68 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 4 A The HSM0228 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

 9.1. Size:2062K  huashuo
 hsm0204.pdf pdf_icon

HSM0228

HSM0204 Dual N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSM0204 is the high cell density trenched N- ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),max 112 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID 2.5 A The HSM0204 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliab

Другие IGBT... HSL0107, HSL03N20, HSL6008, HSL6107, HSM0026, HSM0048, HSM0094, HSM0204, AOD4184A, HSM1562, HSM1564, HSM1641, HSM20N02, HSM2202, HSM24P03, HSM2627, HSM2903