HSM20N02 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSM20N02

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm

Encapsulados: SOP8

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HSM20N02 datasheet

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HSM20N02

HSM20N02 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 20 V DS The HSM20N02 is the high cell density trenched N- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 2.9 m DS(ON),typ gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I 20 A D The HSM20N02 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function

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