HSM20N02 Todos los transistores

 

HSM20N02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSM20N02
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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HSM20N02 Datasheet (PDF)

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HSM20N02

HSM20N02 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 20 V DSThe HSM20N02 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 2.9 m DS(ON),typgate charge for most of the synchronous buck converter applications. I 20 A DThe HSM20N02 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function

Otros transistores... HSM0026 , HSM0048 , HSM0094 , HSM0204 , HSM0228 , HSM1562 , HSM1564 , HSM1641 , IRF730 , HSM2202 , HSM24P03 , HSM2627 , HSM2903 , HSM3002 , HSM3006 , HSM3056 , HSM3107 .

History: CSD17552Q5A | IPW65R065C7 | CSD17552Q3A | IPW65R099C6 | NTB004N10G | RFM5P15 | SPA11N60C3

 

 
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