Справочник MOSFET. HSM20N02

 

HSM20N02 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSM20N02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для HSM20N02

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSM20N02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:724K  huashuo
 hsm20n02.pdf pdf_icon

HSM20N02

HSM20N02 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 20 V DSThe HSM20N02 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 2.9 m DS(ON),typgate charge for most of the synchronous buck converter applications. I 20 A DThe HSM20N02 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function

Другие MOSFET... HSM0026 , HSM0048 , HSM0094 , HSM0204 , HSM0228 , HSM1562 , HSM1564 , HSM1641 , IRFP064N , HSM2202 , HSM24P03 , HSM2627 , HSM2903 , HSM3002 , HSM3006 , HSM3056 , HSM3107 .

History: JFPC20N65C | JFFC10N65C | FDB9406F085 | RSS090P03 | IRFH7911 | WML80R1K0S

 

 
Back to Top

 


 
.