HSM20N02 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSM20N02

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для HSM20N02

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSM20N02 даташит

 ..1. Size:724K  huashuo
 hsm20n02.pdf pdf_icon

HSM20N02

HSM20N02 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 20 V DS The HSM20N02 is the high cell density trenched N- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 2.9 m DS(ON),typ gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I 20 A D The HSM20N02 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function

Другие IGBT... HSM0026, HSM0048, HSM0094, HSM0204, HSM0228, HSM1562, HSM1564, HSM1641, AO4468, HSM2202, HSM24P03, HSM2627, HSM2903, HSM3002, HSM3006, HSM3056, HSM3107