Справочник MOSFET. HSM20N02

 

HSM20N02 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HSM20N02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 83 nC
   Время нарастания (tr): 18 ns
   Выходная емкость (Cd): 500 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для HSM20N02

 

 

HSM20N02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:724K  huashuo
 hsm20n02.pdf

HSM20N02 HSM20N02

HSM20N02 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 20 V DSThe HSM20N02 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 2.9 m DS(ON),typgate charge for most of the synchronous buck converter applications. I 20 A DThe HSM20N02 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top