SSU3055A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSU3055A  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 18 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm

Encapsulados: IPAK

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de SSU3055A MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SSU3055A datasheet

 ..1. Size:329K  1
 ssu3055a ssr3055a.pdf pdf_icon

SSU3055A

 7.1. Size:165K  1
 ssr3055la ssu3055la.pdf pdf_icon

SSU3055A

 7.2. Size:213K  samsung
 ssu3055la.pdf pdf_icon

SSU3055A

SSR/U3055LA Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 60 V Logic-Level Gate Drive RDS(on) = 0.165 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 8 A Lower Input Capacitance Improved Gate Charge D-PAK I-PAK Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 60V 2 1 Lower RDS(ON) 0.124 (Typ.) 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Sou

Otros transistores... SSS70N10A, SSS7N60A, SSS7N80A, SSS80N06A, SSU1N50, SSU1N50A, SSU1N60A, SSU2N60A, IRFP260, SSU3055LA, SSW1N50A, SSW1N60A, SSW2N60A, SSW2N80A, SSW2N90A, SSW3N80A, SSW3N90A