SSU3055A Todos los transistores

 

SSU3055A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSU3055A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 18 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK
 

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SSU3055A datasheet

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SSU3055A

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SSU3055A

 7.2. Size:213K  samsung
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SSU3055A

SSR/U3055LA Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 60 V Logic-Level Gate Drive RDS(on) = 0.165 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 8 A Lower Input Capacitance Improved Gate Charge D-PAK I-PAK Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 60V 2 1 Lower RDS(ON) 0.124 (Typ.) 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Sou

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History: IXTY02N120P

 

 
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