Справочник MOSFET. SSU3055A

 

SSU3055A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSU3055A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
 

 Аналог (замена) для SSU3055A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSU3055A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:329K  1
 ssu3055a ssr3055a.pdf pdf_icon

SSU3055A

 7.1. Size:165K  1
 ssr3055la ssu3055la.pdf pdf_icon

SSU3055A

 7.2. Size:213K  samsung
 ssu3055la.pdf pdf_icon

SSU3055A

SSR/U3055LAAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Logic-Level Gate DriveRDS(on) = 0.165 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 8 A Lower Input Capacitance Improved Gate ChargeD-PAK I-PAK Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V 21 Lower RDS(ON) : 0.124 (Typ.) 12331. Gate 2. Drain 3. Sou

Другие MOSFET... SSS70N10A , SSS7N60A , SSS7N80A , SSS80N06A , SSU1N50 , SSU1N50A , SSU1N60A , SSU2N60A , AON7410 , SSU3055LA , SSW1N50A , SSW1N60A , SSW2N60A , SSW2N80A , SSW2N90A , SSW3N80A , SSW3N90A .

History: FQP10N20C

 

 
Back to Top

 


 
.