SSU3055A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSU3055A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 18 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 12 nC
Время нарастания (tr): 17 ns
Выходная емкость (Cd): 110 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.15 Ohm
Тип корпуса: IPAK
SSU3055A Datasheet (PDF)
7.2. Size:213K samsung
ssu3055la.pdf
ssu3055la.pdf
SSR/U3055LAAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Logic-Level Gate DriveRDS(on) = 0.165 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 8 A Lower Input Capacitance Improved Gate ChargeD-PAK I-PAK Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V 21 Lower RDS(ON) : 0.124 (Typ.) 12331. Gate 2. Drain 3. Sou
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
