HSM24P03 Todos los transistores

 

HSM24P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSM24P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 110 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 780 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
     - Selección de transistores por parámetros

 

HSM24P03 Datasheet (PDF)

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HSM24P03

HSM24P03 P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM24P03 is the high cell density trenched P- V -30 V DSch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 3.8 m DS(ON),typgate charge for most of the synchronous buck converter applications. I -24 A DThe HSM24P03 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full functi

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History: IRFR120Z | UT20N03 | AP9416GM | MTM2N90 | S68N08ZRN | KI4923DY | BUK961R5-30E

 

 
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