HSM24P03 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSM24P03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 780 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm

Encapsulados: SOP8

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HSM24P03 datasheet

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HSM24P03

HSM24P03 P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM24P03 is the high cell density trenched P- V -30 V DS ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 3.8 m DS(ON),typ gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I -24 A D The HSM24P03 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full functi

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