Справочник MOSFET. HSM24P03

 

HSM24P03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSM24P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 780 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HSM24P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:745K  huashuo
 hsm24p03.pdf pdf_icon

HSM24P03

HSM24P03 P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM24P03 is the high cell density trenched P- V -30 V DSch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 3.8 m DS(ON),typgate charge for most of the synchronous buck converter applications. I -24 A DThe HSM24P03 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full functi

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IPA50R650CE | HUFA75307D3 | SSM6J412TU | SIHLZ44S | NCEP095N10A

 

 
Back to Top

 


 
.