Справочник MOSFET. HSM24P03

 

HSM24P03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSM24P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 780 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для HSM24P03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSM24P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:745K  huashuo
 hsm24p03.pdf pdf_icon

HSM24P03

HSM24P03 P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM24P03 is the high cell density trenched P- V -30 V DSch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 3.8 m DS(ON),typgate charge for most of the synchronous buck converter applications. I -24 A DThe HSM24P03 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full functi

Другие MOSFET... HSM0094 , HSM0204 , HSM0228 , HSM1562 , HSM1564 , HSM1641 , HSM20N02 , HSM2202 , IRFZ44N , HSM2627 , HSM2903 , HSM3002 , HSM3006 , HSM3056 , HSM3107 , HSM3115 , HSM3202 .

History: NCEP1216AS | FQA8N90C-F109 | NCE3008XM | FDMS3660AS | STB12NM60N | JCS650F | NP60N04ILF

 

 
Back to Top

 


 
.