HSM24P03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSM24P03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 780 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для HSM24P03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSM24P03 даташит

 ..1. Size:745K  huashuo
 hsm24p03.pdf pdf_icon

HSM24P03

HSM24P03 P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM24P03 is the high cell density trenched P- V -30 V DS ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 3.8 m DS(ON),typ gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I -24 A D The HSM24P03 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full functi

Другие IGBT... HSM0094, HSM0204, HSM0228, HSM1562, HSM1564, HSM1641, HSM20N02, HSM2202, IRFZ44N, HSM2627, HSM2903, HSM3002, HSM3006, HSM3056, HSM3107, HSM3115, HSM3202