HSM2627 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HSM2627
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 76.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 509 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HSM2627

HSM2627 Datasheet (PDF)

..1. Size:2140K huashuo
hsm2627.pdf

HSM2627 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM2627 is the high cell density trenched VDS -20 V P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the RDS(ON),max 9 m synchronous buck converter applications. ID -10.7 A The HSM2627 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. l

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Liste

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