Справочник MOSFET. HSM2627

 

HSM2627 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSM2627
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 63 nC
   trⓘ - Время нарастания: 76.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 509 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HSM2627 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2140K  huashuo
 hsm2627.pdf pdf_icon

HSM2627

HSM2627 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM2627 is the high cell density trenched VDS -20 V P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the RDS(ON),max 9 m synchronous buck converter applications. ID -10.7 A The HSM2627 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. l

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: NCEP85T25T | NDB410B | NDD05N50Z | NCES075R026T | WPM3022 | HRS75N75V

 

 
Back to Top

 


 
.