HSM2627 - аналоги и даташиты транзистора

 

HSM2627 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HSM2627
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 76.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 509 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для HSM2627

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSM2627 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2140K  huashuo
 hsm2627.pdf pdf_icon

HSM2627

HSM2627 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM2627 is the high cell density trenched VDS -20 V P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the RDS(ON),max 9 m synchronous buck converter applications. ID -10.7 A The HSM2627 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. l

Другие MOSFET... HSM0204 , HSM0228 , HSM1562 , HSM1564 , HSM1641 , HSM20N02 , HSM2202 , HSM24P03 , IRF3205 , HSM2903 , HSM3002 , HSM3006 , HSM3056 , HSM3107 , HSM3115 , HSM3202 , HSM3206 .

History: NTD2955VT4G | MPSP65M390 | ZXMN6A25KTC | IPP65R190E6 | IPA057N08N3G | IXTT30N50L | SUD50N04-37P

 

 
Back to Top

 


 
.