HSM2627 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSM2627

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 76.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 509 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для HSM2627

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSM2627 даташит

 ..1. Size:2140K  huashuo
 hsm2627.pdf pdf_icon

HSM2627

HSM2627 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM2627 is the high cell density trenched VDS -20 V P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the RDS(ON),max 9 m synchronous buck converter applications. ID -10.7 A The HSM2627 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. l

Другие IGBT... HSM0204, HSM0228, HSM1562, HSM1564, HSM1641, HSM20N02, HSM2202, HSM24P03, IRF3205, HSM2903, HSM3002, HSM3006, HSM3056, HSM3107, HSM3115, HSM3202, HSM3206