HSM2903 Todos los transistores

 

HSM2903 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSM2903
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

 Búsqueda de reemplazo de HSM2903 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HSM2903 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:531K  huashuo
 hsm2903.pdf pdf_icon

HSM2903

HSM2903 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM2903 is the high performance BVDSS RDSON ID complementary N-ch and P-ch MOSFETs with 20V 14m 10A high cell density, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck -20V 45m -6.5A converter applications. The HSM2903 meet the RoHS and Green Product requireme

Otros transistores... HSM0228 , HSM1562 , HSM1564 , HSM1641 , HSM20N02 , HSM2202 , HSM24P03 , HSM2627 , IRF740 , HSM3002 , HSM3006 , HSM3056 , HSM3107 , HSM3115 , HSM3202 , HSM3206 , HSM3214 .

History: SMK730P | KIA2806A | HM100N03K | UPA2708GR | IPD600N25N3 | IRC530PBF | 2N6659-2

 

 
Back to Top

 


 
.