HSM2903 Todos los transistores

 

HSM2903 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSM2903
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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HSM2903 Datasheet (PDF)

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HSM2903

HSM2903 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM2903 is the high performance BVDSS RDSON ID complementary N-ch and P-ch MOSFETs with 20V 14m 10A high cell density, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck -20V 45m -6.5A converter applications. The HSM2903 meet the RoHS and Green Product requireme

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History: FDBL9401F085 | NP48N055ELE | STB45NF06 | TMP4N80 | HSM4094 | SI5935CDC | SIRA18ADP

 

 
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