Справочник MOSFET. HSM2903

 

HSM2903 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HSM2903
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC
   trⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для HSM2903

 

 

HSM2903 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:531K  huashuo
 hsm2903.pdf

HSM2903 HSM2903

HSM2903 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM2903 is the high performance BVDSS RDSON ID complementary N-ch and P-ch MOSFETs with 20V 14m 10A high cell density, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck -20V 45m -6.5A converter applications. The HSM2903 meet the RoHS and Green Product requireme

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top