Справочник MOSFET. HSM2903

 

HSM2903 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSM2903
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для HSM2903

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSM2903 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:531K  huashuo
 hsm2903.pdf pdf_icon

HSM2903

HSM2903 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM2903 is the high performance BVDSS RDSON ID complementary N-ch and P-ch MOSFETs with 20V 14m 10A high cell density, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck -20V 45m -6.5A converter applications. The HSM2903 meet the RoHS and Green Product requireme

Другие MOSFET... HSM0228 , HSM1562 , HSM1564 , HSM1641 , HSM20N02 , HSM2202 , HSM24P03 , HSM2627 , IRF740 , HSM3002 , HSM3006 , HSM3056 , HSM3107 , HSM3115 , HSM3202 , HSM3206 , HSM3214 .

History: RU40L60M | SWUI6N70DA

 

 
Back to Top

 


 
.