HSM2903 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSM2903

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для HSM2903

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSM2903 даташит

 ..1. Size:531K  huashuo
 hsm2903.pdf pdf_icon

HSM2903

HSM2903 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM2903 is the high performance BVDSS RDSON ID complementary N-ch and P-ch MOSFETs with 20V 14m 10A high cell density, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck -20V 45m -6.5A converter applications. The HSM2903 meet the RoHS and Green Product requireme

Другие IGBT... HSM0228, HSM1562, HSM1564, HSM1641, HSM20N02, HSM2202, HSM24P03, HSM2627, IRF740, HSM3002, HSM3006, HSM3056, HSM3107, HSM3115, HSM3202, HSM3206, HSM3214