HSM3115 Todos los transistores

 

HSM3115 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSM3115
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 30 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 508 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0087 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
     - Selección de transistores por parámetros

 

HSM3115 Datasheet (PDF)

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HSM3115

HSM3115 P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS -30 V The HSM3115 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 8.7 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -14 A The HSM3115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reli

 9.1. Size:444K  huashuo
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HSM3115

HSM3107 P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM3107 is the high cell density trenched P-V -30 V DSch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 42 m DS(ON),typconverter applications. I -5 A DThe HSM3107 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

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