HSM3115 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSM3115

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 508 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0087 Ohm

Encapsulados: SOP8

 Búsqueda de reemplazo de HSM3115 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HSM3115 datasheet

 ..1. Size:2124K  huashuo
 hsm3115.pdf pdf_icon

HSM3115

HSM3115 P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS -30 V The HSM3115 is the high cell density trenched P- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 8.7 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -14 A The HSM3115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reli

 9.1. Size:444K  huashuo
 hsm3107.pdf pdf_icon

HSM3115

HSM3107 P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM3107 is the high cell density trenched P- V -30 V DS ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 42 m DS(ON),typ converter applications. I -5 A D The HSM3107 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

Otros transistores... HSM2202, HSM24P03, HSM2627, HSM2903, HSM3002, HSM3006, HSM3056, HSM3107, 50N06, HSM3202, HSM3206, HSM3214, HSM3303, HSM3305, HSM3903, HSM4002, HSM4004