HSM3115 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSM3115

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 508 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0087 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для HSM3115

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSM3115 даташит

 ..1. Size:2124K  huashuo
 hsm3115.pdf pdf_icon

HSM3115

HSM3115 P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS -30 V The HSM3115 is the high cell density trenched P- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 8.7 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -14 A The HSM3115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reli

 9.1. Size:444K  huashuo
 hsm3107.pdf pdf_icon

HSM3115

HSM3107 P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM3107 is the high cell density trenched P- V -30 V DS ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 42 m DS(ON),typ converter applications. I -5 A D The HSM3107 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

Другие IGBT... HSM2202, HSM24P03, HSM2627, HSM2903, HSM3002, HSM3006, HSM3056, HSM3107, 50N06, HSM3202, HSM3206, HSM3214, HSM3303, HSM3305, HSM3903, HSM4002, HSM4004