HSM3115 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HSM3115
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 508 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0087 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для HSM3115
HSM3115 Datasheet (PDF)
hsm3115.pdf

HSM3115 P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS -30 V The HSM3115 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 8.7 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -14 A The HSM3115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reli
hsm3107.pdf

HSM3107 P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM3107 is the high cell density trenched P-V -30 V DSch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 42 m DS(ON),typconverter applications. I -5 A DThe HSM3107 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.
Другие MOSFET... HSM2202 , HSM24P03 , HSM2627 , HSM2903 , HSM3002 , HSM3006 , HSM3056 , HSM3107 , 50N06 , HSM3202 , HSM3206 , HSM3214 , HSM3303 , HSM3305 , HSM3903 , HSM4002 , HSM4004 .
History: AOT12N65 | CS5N90ARH-G | PD1203BEA | AFN3484S
History: AOT12N65 | CS5N90ARH-G | PD1203BEA | AFN3484S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP70P03DF | AP70P03D | AP70P02D | AP70N12NF | AP70N12D | AP70N06HD | AP70N04NF | AP70N03NF | AP70N02NF | AP70N02DF | AP6P06MI | AP6P03SI | AP6N40D | AP6N12MI | AP6N10MI | AP5N10SI
Popular searches
2sc1115 | c3998 transistor | 2sa679 | 2sc3181 | 2sb324 | 2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor