Справочник MOSFET. HSM3115

 

HSM3115 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSM3115
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 508 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0087 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для HSM3115

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSM3115 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2124K  huashuo
hsm3115.pdfpdf_icon

HSM3115

HSM3115 P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS -30 V The HSM3115 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 8.7 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -14 A The HSM3115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reli

 9.1. Size:444K  huashuo
hsm3107.pdfpdf_icon

HSM3115

HSM3107 P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM3107 is the high cell density trenched P-V -30 V DSch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 42 m DS(ON),typconverter applications. I -5 A DThe HSM3107 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

Другие MOSFET... HSM2202 , HSM24P03 , HSM2627 , HSM2903 , HSM3002 , HSM3006 , HSM3056 , HSM3107 , 50N06 , HSM3202 , HSM3206 , HSM3214 , HSM3303 , HSM3305 , HSM3903 , HSM4002 , HSM4004 .

History: IRF6798M | SI7402DN | IRLML2246 | SSF6010A | IRL3102SPBF | SRH03P098LMTR-G | IRLR120

 

 
Back to Top

 


 
.