SSU3055LA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSU3055LA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 18 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
Carga de la puerta (Qg): 7.2 nC
Tiempo de subida (tr): 16 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 100 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.165 Ohm
Paquete / Cubierta: IPAK
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SSU3055LA Datasheet (PDF)
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SSR/U3055LAAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Logic-Level Gate DriveRDS(on) = 0.165 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 8 A Lower Input Capacitance Improved Gate ChargeD-PAK I-PAK Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V 21 Lower RDS(ON) : 0.124 (Typ.) 12331. Gate 2. Drain 3. Sou
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