SSU3055LA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSU3055LA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 18 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.165 Ohm
Paquete / Cubierta: IPAK
Búsqueda de reemplazo de SSU3055LA MOSFET
SSU3055LA Datasheet (PDF)
ssu3055la.pdf

SSR/U3055LAAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Logic-Level Gate DriveRDS(on) = 0.165 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 8 A Lower Input Capacitance Improved Gate ChargeD-PAK I-PAK Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V 21 Lower RDS(ON) : 0.124 (Typ.) 12331. Gate 2. Drain 3. Sou
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History: WST05N10L | 2N6766JANTX | WSR80N10 | 2SK642
History: WST05N10L | 2N6766JANTX | WSR80N10 | 2SK642



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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